准单晶硅的制备炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320087543.2

申请日：

2013-02-26

公开(公告)号：

CN203096227U

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

薛斌奇向东薛婷龙晓红

申请人：

申请人地址：

017000 内蒙古自治区鄂尔多斯市东胜区铁西金烽煤炭大厦八楼

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	授权	授权
2018-03-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20130226 授权公告日:20130731 终止日期:20170226

共 50 条

[1]

准单晶硅的制备炉及制备方法 [P].

薛斌 ;

奇向东 ;

薛婷 ;

龙晓红 .

中国专利 :CN103160918A ,2013-06-19

[2]

一种制备准单晶硅的铸锭炉及制备准单晶硅的方法 [P].

吕铁铮 ;

李万辉 .

中国专利 :CN103205807A ,2013-07-17

[3]

准单晶硅铸锭炉的保温结构 [P].

水川 ;

许柏 .

中国专利 :CN203569239U ,2014-04-30

[4]

用于制备准单晶硅铸锭的坩埚及准单晶硅铸锭的生长方法 [P].

史珺 ;

宗卫峰 ;

程素玲 .

中国专利 :CN102995103A ,2013-03-27

[5]

一种用于单晶硅制备的单晶炉及单晶硅的制备方法 [P].

欧子杨 ;

白枭龙 ;

张昕宇 .

中国专利 :CN113106537B ,2021-07-13

[6]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

蒲以松 ;

惠聪 .

中国专利 :CN110983429A ,2020-04-10

[7]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

欧子杨 ;

杨宇昂 ;

向鹏 .

中国专利 :CN114197033A ,2022-03-18

[8]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 .

中国专利 :CN119900081A ,2025-04-29

[9]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 ;

魏建兴 ;

蔡辉 .

中国专利 :CN119433688A ,2025-02-14

[10]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

蔡媛媛 ;

程立 ;

徐森炀 .

中国专利 :CN119465399A ,2025-02-18

← 1 2 3 4 5 →