用于制备准单晶硅铸锭的坩埚及准单晶硅铸锭的生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110265043.9
申请日
2011-09-08
公开(公告)号
CN102995103A
公开(公告)日
2013-03-27
发明(设计)人
史珺 宗卫峰 程素玲
申请人
申请人地址
201206 上海市浦东新区惠南镇宣黄公路2455弄6号
IPC主分类号
C30B1100
IPC分类号
C30B2806 C30B2906
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
丁纪铁
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
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[4]
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[5]
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[8]
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[10]
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何亮 ;
邹贵付 ;
毛伟 ;
雷琦 ;
罗鸿志 ;
何新根 ;
李小平 ;
李建敏 ;
程小娟 ;
陈仙辉 ;
甘胜泉 .
中国专利 :CN113699581A ,2021-11-26