使用含有金离子和氟离子的溶液形成金属硅化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480009890.0

申请日：

2014-02-21

公开(公告)号：

CN105074052A

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

文森特·梅费里克多米尼克·祖尔

申请人：

申请人地址：

法国梅西

IPC主分类号：

C23C1818

IPC分类号：

C23C1816 C23C1834 C23C1836 H01L2128 H01L21288 C23C1854

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

梁兴龙;曹正建

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-10	授权	授权
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646367624 IPC(主分类):C23C 18/18 专利申请号:2014800098900 申请日:20140221
2015-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

形成金属硅化物的方法 [P].

杜安群 ;

黄振铭 .

中国专利 :CN1574249A ,2005-02-02

[2]

形成金属硅化物层的方法和由此形成的金属硅化物层 [P].

任·何 ;

马克西米利安·克莱蒙斯 ;

石美仪 ;

于敏锐 ;

本切基·梅巴基 ;

梅裕尔·B·奈克 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 .

中国专利 :CN110349838A ,2019-10-18

[3]

形成金属硅化物的方法 [P].

杨添助 .

中国专利 :CN1405860A ,2003-03-26

[4]

形成金属硅化物的方法 [P].

杨添助 .

中国专利 :CN1412825A ,2003-04-23

[5]

形成金属硅化物的方法 [P].

刘英明 .

中国专利 :CN106033721A ,2016-10-19

[6]

金属硅化物栅极的形成方法 [P].

国天增 ;

刘鹏 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103177949B ,2013-06-26

[7]

金属硅化物的形成方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102456556A ,2012-05-16

[8]

金属硅化物的形成方法 [P].

冯秦旭 ;

林建树 ;

梁金娥 ;

张守龙 .

中国专利 :CN115527846A ,2022-12-27

[9]

金属硅化物的形成方法 [P].

杨瑞鹏 ;

胡宇慧 .

中国专利 :CN101197280A ,2008-06-11

[10]

金属硅化物的形成方法 [P].

胡宇慧 ;

杨瑞鹏 ;

聂佳相 .

中国专利 :CN101140872A ,2008-03-12

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