一种以金刚石为衬底的外延GaN及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211063665.8

申请日：

2022-08-31

公开(公告)号：

CN115377196A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

张粉红李熙规

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市集美区灌口镇灌口大道253号10号楼201室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L23373 H01L2916 H01L2920 H01L2102 C23C1406 C23C1434 C30B2518 C30B2814 C30B2904 C30B2940

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101

代理人：

李荣耀

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220831
2022-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639592A ,2022-06-17

[2]

金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639592B ,2025-08-29

[3]

一种以GaN为衬底外延高质量多晶金刚石及其制备方法 [P].

李高金 ;

李明君 ;

李志博 ;

吕申申 .

中国专利 :CN117987916A ,2024-05-07

[4]

一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

王心颢 ;

贠博祥 ;

卢灏 ;

刘旭 ;

徐爽 ;

张进成 ;

张金风 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114361013A ,2022-04-15

[5]

一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

王心颢 ;

贠博祥 ;

卢灏 ;

刘旭 ;

徐爽 ;

张进成 ;

张金风 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114361013B ,2025-08-29

[6]

金刚石复合衬底、金刚石复合衬底的制备方法及GaN器件 [P].

梁剑波 .

中国专利 :CN120388885A ,2025-07-29

[7]

在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法 [P].

陶涛 ;

张东祺 ;

胡文晓 ;

叶煜聪 ;

陈凯 ;

智婷 ;

刘斌 ;

谢自力 ;

张荣 .

中国专利 :CN114284132A ,2022-04-05

[8]

异质外延金刚石及其制备方法 [P].

郁万成 ;

金鹏 ;

张烨 ;

王占国 .

中国专利 :CN106835274A ,2017-06-13

[9]

一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陈堂胜 ;

吴立枢 ;

孔月婵 .

中国专利 :CN121038311A ,2025-11-28

[10]

一种单晶金刚石衬底上制备氮化镓外延片的方法 [P].

程哲 ;

孙梓轩 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN118028975A ,2024-05-14

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