一种以GaN为衬底外延高质量多晶金刚石及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410221047.4

申请日：

2024-02-28

公开(公告)号：

CN117987916A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

李高金李明君李志博吕申申

申请人：

安徽碳索芯材科技有限公司

申请人地址：

237300 安徽省六安市金寨经济开发区（现代产业园区）金叶路中兴产业园3#4#楼

IPC主分类号：

C30B28/14

IPC分类号：

C23C14/06

代理机构：

合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218

代理人：

袁浩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/14申请日:20240228
2024-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种以金刚石为衬底的外延GaN及其制备方法 [P].

张粉红 ;

李熙规 .

中国专利 :CN115377196A ,2022-11-22

[2]

一种高质量自支撑多晶金刚石衬底的制备方法 [P].

李俊鹏 ;

任泽阳 ;

张金风 ;

陈军飞 ;

王晗雪 .

中国专利 :CN120945481A ,2025-11-14

[3]

一种高质量多晶金刚石膜制备方法 [P].

李红东 ;

万琳丰 ;

王旌丞 ;

成绍恒 ;

王启亮 ;

刘钧松 ;

高楠 .

中国专利 :CN111118471A ,2020-05-08

[4]

一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

谭春波 ;

陈曦 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

侯丽新 ;

高延军 .

中国专利 :CN113053732A ,2021-06-29

[5]

一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法 [P].

朱嘉琦 ;

姚凯丽 ;

代兵 ;

杨磊 ;

韩杰才 .

中国专利 :CN108505018B ,2018-09-07

[6]

一种大尺寸高质量单晶金刚石及其制备方法 [P].

陈宁 ;

王浩 ;

崔田 .

中国专利 :CN119956485A ,2025-05-09

[7]

一种高质量金刚石绳锯 [P].

胡志福 ;

郭绍勇 .

中国专利 :CN217414497U ,2022-09-13

[8]

一种高质量波形金刚石膜的制备方法 [P].

李志博 ;

李明君 ;

李高金 ;

吕申申 .

中国专利 :CN118207512A ,2024-06-18

[9]

一种高质量大尺寸单晶金刚石外延生长的方法 [P].

李成明 ;

郑宇亭 ;

邵思武 ;

朱肖华 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN111206280A ,2020-05-29

[10]

一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

王心颢 ;

贠博祥 ;

卢灏 ;

刘旭 ;

徐爽 ;

张进成 ;

张金风 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114361013A ,2022-04-15

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