一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110273352.4

申请日：

2021-03-15

公开(公告)号：

CN113053732A

公开(公告)日：

2021-06-29

发明(设计)人：

陈占国谭春波陈曦刘秀环赵纪红侯丽新高延军

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20210629
2021-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210315
2021-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

刘起显 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

闫朝超 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110690105B ,2020-01-14

[2]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[3]

一种制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

卢光远 ;

吴天如 ;

宋阳曦 ;

王浩敏 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN103774113B ,2014-05-07

[4]

一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐闰 ;

冯健 ;

黄健 ;

唐可 ;

赖建明 ;

管玉兰 .

中国专利 :CN101323982A ,2008-12-17

[5]

一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜 [P].

王浩林 .

中国专利 :CN113106417A ,2021-07-13

[6]

一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法 [P].

崔福彬 .

中国专利 :CN117966265A ,2024-05-03

[7]

一种经济、环境友好的高质量六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐川 ;

陈晨 ;

任文才 ;

马超群 ;

高意雯 ;

成会明 .

中国专利 :CN119956478A ,2025-05-09

[8]

六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

赵昱 ;

王浩 ;

杨晓霞 ;

王文龙 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN111575674A ,2020-08-25

[9]

一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

范盛达 ;

刘晓航 ;

陈曦 ;

侯丽新 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

高延军 .

中国专利 :CN117512559A ,2024-02-06

[10]

一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

范盛达 ;

刘晓航 ;

陈曦 ;

侯丽新 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

高延军 .

中国专利 :CN117512559B ,2025-10-31

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