一种经济、环境友好的高质量六方氮化硼薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311480986.2

申请日：

2023-11-08

公开(公告)号：

CN119956478A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

徐川陈晨任文才马超群高意雯成会明

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B29/40 C30B29/66

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

张志伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/00申请日:20231108
2025-05-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜 [P].

王浩林 .

中国专利 :CN113106417A ,2021-07-13

[2]

一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法 [P].

任文才 ;

周天亚 ;

徐川 ;

成会明 .

中国专利 :CN114940483A ,2022-08-26

[3]

多层六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

时志远 ;

吴天如 ;

卢光远 ;

王秀君 ;

张超 ;

王浩敏 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN110921637B ,2020-03-27

[4]

一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法 [P].

崔福彬 .

中国专利 :CN117966265A ,2024-05-03

[5]

一种制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

卢光远 ;

吴天如 ;

宋阳曦 ;

王浩敏 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN103774113B ,2014-05-07

[6]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[7]

一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐闰 ;

冯健 ;

黄健 ;

唐可 ;

赖建明 ;

管玉兰 .

中国专利 :CN101323982A ,2008-12-17

[8]

一种大尺寸高质量三维六方氮化硼网络的制备方法 [P].

任文才 ;

马超群 ;

高意雯 ;

陈晨 ;

徐川 ;

成会明 .

中国专利 :CN117737689A ,2024-03-22

[9]

六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

赵昱 ;

王浩 ;

杨晓霞 ;

王文龙 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN111575674A ,2020-08-25

[10]

一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

谭春波 ;

陈曦 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

侯丽新 ;

高延军 .

中国专利 :CN113053732A ,2021-06-29

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