一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410079257.4

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN117966265A

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

崔福彬

申请人：

西安电子科技大学芜湖研究院

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼

IPC主分类号：

C30B28/14

IPC分类号：

C30B29/40 C30B29/64 C30B29/02 C30B23/00 C23C14/16 C23C14/26

代理机构：

枣庄小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 37282

代理人：

胡成燕

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	公开	公开
2024-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/14申请日:20240119

共 50 条

[1]

六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

赵昱 ;

王浩 ;

杨晓霞 ;

王文龙 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN111575674A ,2020-08-25

[2]

多层六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

时志远 ;

吴天如 ;

卢光远 ;

王秀君 ;

张超 ;

王浩敏 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN110921637B ,2020-03-27

[3]

一种制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

卢光远 ;

吴天如 ;

宋阳曦 ;

王浩敏 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN103774113B ,2014-05-07

[4]

一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜 [P].

王浩林 .

中国专利 :CN113106417A ,2021-07-13

[5]

一种经济、环境友好的高质量六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐川 ;

陈晨 ;

任文才 ;

马超群 ;

高意雯 ;

成会明 .

中国专利 :CN119956478A ,2025-05-09

[6]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[7]

一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

谭春波 ;

陈曦 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

侯丽新 ;

高延军 .

中国专利 :CN113053732A ,2021-06-29

[8]

一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法 [P].

胡平安 ;

杨慧慧 ;

谭必英 ;

张士超 ;

苏震 ;

刘得昌 ;

汪礼丽 .

中国专利 :CN112159970A ,2021-01-01

[9]

六方晶氮化硼薄膜及其制造方法 [P].

吾乡浩树 ;

河原宪治 ;

内田勇气 ;

仲村渠翔 ;

田中大地 .

中国专利 :CN110167876A ,2019-08-23

[10]

一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐闰 ;

冯健 ;

黄健 ;

唐可 ;

赖建明 ;

管玉兰 .

中国专利 :CN101323982A ,2008-12-17

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