一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011087287.8

申请日：

2020-10-12

公开(公告)号：

CN112159970A

公开(公告)日：

2021-01-01

发明(设计)人：

胡平安杨慧慧谭必英张士超苏震刘得昌汪礼丽

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C23C1634 C23C1601

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	公开	公开
2022-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/26 申请日:20201012

共 50 条

[1]

一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法 [P].

黄富强 ;

程园 ;

毕辉 .

中国专利 :CN110453280B ,2019-11-15

[2]

一种石墨烯/氮化硼异质薄膜的制备方法 [P].

黄孟琼 ;

王振中 .

中国专利 :CN102392226A ,2012-03-28

[3]

一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法 [P].

陈吉 ;

卢光远 ;

吴天如 ;

王慧山 ;

张学富 ;

王浩敏 .

中国专利 :CN104944417A ,2015-09-30

[4]

一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐闰 ;

冯健 ;

黄健 ;

唐可 ;

赖建明 ;

管玉兰 .

中国专利 :CN101323982A ,2008-12-17

[5]

一种六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼异质结的制备方法 [P].

贾瑞涛 .

中国专利 :CN117747411A ,2024-03-22

[6]

一种六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼异质结的制备方法 [P].

贾瑞涛 .

中国专利 :CN117747411B ,2025-02-07

[7]

一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法 [P].

崔福彬 .

中国专利 :CN117966265A ,2024-05-03

[8]

一种氮化硼/石墨烯异质结器件 [P].

徐明生 ;

王维佳 ;

冯志红 ;

蔚翠 .

中国专利 :CN110828550A ,2020-02-21

[9]

一种经济、环境友好的高质量六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

徐川 ;

陈晨 ;

任文才 ;

马超群 ;

高意雯 ;

成会明 .

中国专利 :CN119956478A ,2025-05-09

[10]

一种高质量立方氮化硼薄膜的制备装置 [P].

孔倩倩 ;

李振军 .

中国专利 :CN215396402U ,2022-01-04

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