激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法

被引：0

申请号：

CN202211310523.7

申请日：

2022-10-25

公开(公告)号：

CN115608694A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

杨春柳鲁闻华李有云刘汉保韦华牛应硕杨杰

申请人：

申请人地址：

650000 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼

IPC主分类号：

B08B308

IPC分类号：

B08B312

代理机构：

昆明祥和知识产权代理有限公司 53114

代理人：

和琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B08B 3/08 申请日:20221025

共 50 条

[1]

砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器 [P].

米洪龙 ;

关永莉 ;

陈宇星 ;

王琳 .

中国专利 :CN207801155U ,2018-08-31

[2]

一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置 [P].

吴瑶 ;

曾贵州 ;

王金灵 ;

周铁军 .

中国专利 :CN115020197A ,2022-09-06

[3]

不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法 [P].

韩家贤 ;

王顺金 ;

韦华 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

柳廷龙 ;

刘汉保 ;

黄平 ;

陈飞鸿 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113981523A ,2022-01-28

[4]

不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法 [P].

韩家贤 ;

王顺金 ;

韦华 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

柳廷龙 ;

刘汉保 ;

黄平 ;

陈飞鸿 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113981523B ,2024-03-12

[5]

砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法 [P].

赵永超 ;

米洪龙 ;

李小兵 ;

郭永瑞 ;

关永莉 ;

陈宇星 ;

王琳 .

中国专利 :CN107516818A ,2017-12-26

[6]

一种砷化镓单晶片清洗的方法 [P].

杨艺 ;

曹志颖 .

中国专利 :CN106000977A ,2016-10-12

[7]

一种砷化镓晶片的清洗方法 [P].

吴倩 ;

周铁军 ;

毕宏岩 ;

马金峰 .

中国专利 :CN119230384A ,2024-12-31

[8]

一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法 [P].

徐晓强 ;

程昌辉 ;

吴向龙 ;

闫宝华 ;

王成新 .

中国专利 :CN114649229A ,2022-06-21

[9]

一种砷化镓LED晶片电压与TCL膜层关系的验证方法 [P].

徐晓强 ;

程昌辉 ;

吴向龙 ;

闫宝华 ;

王成新 .

中国专利 :CN114649229B ,2025-08-08

[10]

一种砷化镓晶片清洗方法 [P].

徐永宽 ;

杨洪星 ;

刘春香 ;

吕菲 .

中国专利 :CN1787178A ,2006-06-14

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