断电检测电路及半导体存储装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110721123.4
申请日
2021-06-28
公开(公告)号
CN113963740A
公开(公告)日
2022-01-21
发明(设计)人
须藤直昭
申请人
申请人地址
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
IPC主分类号
G11C2912
IPC分类号
G01R19165 G01R3126 G01R3154
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
宋兴;臧建明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
断电检测电路及半导体存储装置 [P]. 
须藤直昭 .
中国专利 :CN113963740B ,2025-04-22
[2]
断电检测电路及半导体存储装置 [P]. 
荒川贤一 .
中国专利 :CN113628660B ,2024-02-27
[3]
断电检测电路及半导体存储装置 [P]. 
荒川贤一 .
中国专利 :CN113628660A ,2021-11-09
[4]
电流检测电路及半导体存储装置 [P]. 
荒川贤一 .
中国专利 :CN104835523A ,2015-08-12
[5]
半导体存储装置的温度检测电路 [P]. 
金帝润 ;
李锺天 .
中国专利 :CN103956178A ,2014-07-30
[6]
半导体存储装置的温度检测电路 [P]. 
金帝润 ;
李锺天 .
中国专利 :CN101923891B ,2010-12-22
[7]
半导体存储装置 [P]. 
佐藤丰 ;
宇都宫文靖 ;
冈智博 .
中国专利 :CN101499324A ,2009-08-05
[8]
半导体存储装置 [P]. 
今井靖 .
日本专利 :CN117636992A ,2024-03-01
[9]
半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置 [P]. 
金子哲也 .
中国专利 :CN101740098B ,2010-06-16
[10]
半导体集成电路及半导体存储装置 [P]. 
清水优 ;
井上谕 ;
藤沢公 ;
高田由美 .
中国专利 :CN113658621A ,2021-11-16