断电检测电路及半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110430156.3

申请日：

2021-04-21

公开(公告)号：

CN113628660B

公开(公告)日：

2024-02-27

发明(设计)人：

荒川贤一

申请人：

华邦电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

IPC主分类号：

G11C29/12

IPC分类号：

G11C29/18 G11C29/44

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

宋兴;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	授权	授权

共 50 条

[1]

断电检测电路及半导体存储装置 [P].

荒川贤一 .

中国专利 :CN113628660A ,2021-11-09

[2]

断电检测电路及半导体存储装置 [P].

须藤直昭 .

中国专利 :CN113963740A ,2022-01-21

[3]

断电检测电路及半导体存储装置 [P].

须藤直昭 .

中国专利 :CN113963740B ,2025-04-22

[4]

电流检测电路及半导体存储装置 [P].

荒川贤一 .

中国专利 :CN104835523A ,2015-08-12

[5]

半导体存储装置的温度检测电路 [P].

金帝润 ;

李锺天 .

中国专利 :CN103956178A ,2014-07-30

[6]

半导体存储装置的温度检测电路 [P].

金帝润 ;

李锺天 .

中国专利 :CN101923891B ,2010-12-22

[7]

半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置 [P].

金子哲也 .

中国专利 :CN101740098B ,2010-06-16

[8]

半导体集成电路及半导体存储装置 [P].

清水优 ;

井上谕 ;

藤沢公 ;

高田由美 .

中国专利 :CN113658621A ,2021-11-16

[9]

半导体集成电路及半导体存储装置 [P].

清水优 ;

井上谕 ;

藤沢公 ;

高田由美 .

日本专利 :CN113658621B ,2024-04-12

[10]

半导体存储装置及半导体集成电路 [P].

平田昭夫 ;

森胁俊幸 ;

当房哲朗 ;

冈本奈奈 ;

林光昭 .

中国专利 :CN1309084C ,2004-10-27

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