逆导半导体可控硅

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202021861348.7
申请日
2020-08-31
公开(公告)号
CN213212155U
公开(公告)日
2021-05-14
发明(设计)人
唐兴军 王亚
申请人
申请人地址
215010 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室
IPC主分类号
H01L23367
IPC分类号
H01L2974
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
王健
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
逆导可控硅 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN212907735U ,2021-04-06
[2]
半导体可控硅模块 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN114121840A ,2022-03-01
[3]
单向可控硅器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN213278076U ,2021-05-25
[4]
大功率可控硅器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN212934599U ,2021-04-09
[5]
改良半导体可控硅 [P]. 
左亚兵 ;
伍林 ;
潘建英 .
中国专利 :CN201773838U ,2011-03-23
[6]
双向可控硅器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN212810297U ,2021-03-26
[7]
一种半导体可控硅夹具 [P]. 
赵越 ;
张理勇 ;
陈萌 ;
刘顺生 .
中国专利 :CN205967223U ,2017-02-22
[8]
用于LED控制电源的可控硅器件 [P]. 
唐兴军 ;
王亚 .
中国专利 :CN212810286U ,2021-03-26
[9]
一种电力半导体可控硅模块 [P]. 
卢博朗 .
中国专利 :CN206806337U ,2017-12-26
[10]
一种可控硅半导体引线裁断装置 [P]. 
赵越 ;
刘超 ;
杨昭 ;
刘顺生 ;
周长涛 .
中国专利 :CN209223083U ,2019-08-09