改良半导体可控硅

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020252351.9

申请日：

2010-07-07

公开(公告)号：

CN201773838U

公开(公告)日：

2011-03-23

发明(设计)人：

左亚兵伍林潘建英

申请人：

申请人地址：

214204 江苏省宜兴市新街街道绿洲南路宜兴市环洲微电子有限公司

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101744177138 IPC(主分类):H01L 25/07 专利号:ZL2010202523519 申请日:20100707 授权公告日:20110323 终止日期:20160707
2011-03-23	授权	授权
2014-01-01	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101683261460 IPC(主分类):H01L 25/07 专利号:ZL2010202523519 登记号:2013320000009 登记生效日:20131202 出质人:宜兴市环洲微电子有限公司质权人:江苏银行股份有限公司宜兴支行实用新型名称:改良半导体可控硅申请日:20100707 授权公告日:20110323

共 50 条

[1]

一种高结温半导体可控硅 [P].

伍林 ;

潘建英 ;

左亚兵 .

中国专利 :CN202003999U ,2011-10-05

[2]

一种高结温半导体可控硅 [P].

伍林 ;

潘建英 ;

左亚兵 .

中国专利 :CN102651391A ,2012-08-29

[3]

逆导半导体可控硅 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN213212155U ,2021-05-14

[4]

半导体可控硅模块 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN114121840A ,2022-03-01

[5]

一种半导体可控硅夹具 [P].

赵越 ;

张理勇 ;

陈萌 ;

刘顺生 .

中国专利 :CN205967223U ,2017-02-22

[6]

一种电力半导体可控硅模块 [P].

卢博朗 .

中国专利 :CN206806337U ,2017-12-26

[7]

一种可控硅半导体引线裁断装置 [P].

赵越 ;

刘超 ;

杨昭 ;

刘顺生 ;

周长涛 .

中国专利 :CN209223083U ,2019-08-09

[8]

具有可控硅结构的高压半导体器件 [P].

陈胜利 .

中国专利 :CN205303464U ,2016-06-08

[9]

可控硅结构 [P].

刘宗贺 ;

吴沛东 .

中国专利 :CN212725318U ,2021-03-16

[10]

可控硅结构 [P].

杨志伟 ;

邵长海 ;

左建伟 ;

孙传帮 .

中国专利 :CN113410296B ,2024-03-22

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