一种发光二极管的反射层结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310642517.6

申请日：

2013-12-03

公开(公告)号：

CN104681687B

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

朱广敏郝茂盛齐胜利邢志刚袁根如

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3346

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	公开	公开
2018-03-20	授权	授权
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615754333 IPC(主分类):H01L 33/46 专利申请号:2013106425176 申请日:20131203

共 50 条

[1]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

中国专利 :CN111788702A ,2020-10-16

[2]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

美国专利 :CN111788702B ,2024-09-24

[3]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525008A ,2020-08-11

[4]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207637833U ,2018-07-20

[5]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525007A ,2020-08-11

[6]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN108461595B ,2018-08-28

[7]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

金材宪 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207529966U ,2018-06-22

[8]

一种具有双反射层的发光二极管 [P].

蓝永凌 ;

林兓兓 ;

张家宏 .

中国专利 :CN205666250U ,2016-10-26

[9]

具有反射层的高亮度发光二极管结构 [P].

王会恒 ;

刘进祥 ;

林昆泉 .

中国专利 :CN1897316A ,2007-01-17

[10]

一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管 [P].

张雄 ;

徐一峰 ;

胡国华 ;

崔一平 .

中国专利 :CN114883463A ,2022-08-09

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