微发光二极管芯片巨量转移方法及系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010711242.7
申请日
2020-07-22
公开(公告)号
CN112992720B
公开(公告)日
2021-06-18
发明(设计)人
李欣曈 洪温振
申请人
申请人地址
402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01L21683 H01L25075 H01L2715 H01L3348 H01L3362
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
熊永强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
微发光二极管芯片巨量转移方法 [P]. 
张嘉修 ;
锺光韦 ;
江仁杰 .
中国专利 :CN112992757B ,2021-06-18
[2]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120568940A ,2025-08-29
[3]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120456683A ,2025-08-08
[4]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120435128A ,2025-08-05
[5]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120435127A ,2025-08-05
[6]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120475827A ,2025-08-12
[7]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120835643A ,2025-10-24
[8]
微发光二极管芯片 [P]. 
李起鸣 ;
刘德帅 ;
祝元坤 ;
方安乐 ;
郭剑 .
中国专利 :CN120730895A ,2025-09-30
[9]
发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片 [P]. 
张圣君 ;
胡根水 ;
孙虎 ;
李俊生 .
中国专利 :CN112820808A ,2021-05-18
[10]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
陈顺利 ;
李士涛 .
中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16