NAND快闪存储器件与改善NAND快闪存储器件中单元特性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710123246.8

申请日：

2007-07-02

公开(公告)号：

CN101231886A

公开(公告)日：

2008-07-30

发明(设计)人：

孙之蕙郑畯燮金德柱

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

G11C1606

IPC分类号：

G11C1608 G11C1610

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-22	授权	授权
2014-08-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584506399 IPC(主分类):G11C 16/06 专利号:ZL2007101232468 申请日:20070702 授权公告日:20110622 终止日期:20130702
2008-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

NAND快闪存储器件的制造方法 [P].

李秉起 .

中国专利 :CN101097890A ,2008-01-02

[2]

制造NAND快闪存储器件的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN100517654C ,2007-05-16

[3]

NAND快闪存储器件及其读取方法 [P].

李熙烈 .

中国专利 :CN1677569B ,2005-10-05

[4]

快闪存储器件的制造方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN100552922C ,2007-08-15

[5]

NAND快闪存储器单元、NAND快闪存储器阵列及其操作方法 [P].

林纬 ;

白田理一郎 ;

毛妮娜 ;

郭才豪 .

中国专利 :CN103226973B ,2013-07-31

[6]

与非型快闪存储器件的制造方法 [P].

崔殷硕 ;

金南经 .

中国专利 :CN100414687C ,2007-01-10

[7]

快闪存储器件和操作该器件的方法 [P].

金有声 ;

金德柱 .

中国专利 :CN101231885B ,2008-07-30

[8]

制造快闪存储器件的方法 [P].

朴丙洙 .

中国专利 :CN101154630A ,2008-04-02

[9]

制造快闪存储器件的方法 [P].

申承祐 ;

金恩洙 ;

金奭中 ;

赵种慧 .

中国专利 :CN101335245B ,2008-12-31

[10]

制造快闪存储器件的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN101174594A ,2008-05-07

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