在半导体器件中形成细微图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710306333.7

申请日：

2007-12-28

公开(公告)号：

CN101271830B

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

赵诚允李昌九

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599304549 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2007103063337 申请日:20071228 授权公告日:20110504 终止日期:20131228
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-04	授权	授权
2008-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成细微图案的方法 [P].

金原圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101335182A ,2008-12-31

[2]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

金原圭 .

中国专利 :CN101740357A ,2010-06-16

[3]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[4]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 .

中国专利 :CN100595888C ,2008-07-02

[5]

用于形成半导体器件的细微图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN100501919C ,2008-03-12

[6]

用于形成半导体器件的细微图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101071754A ,2007-11-14

[7]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

金钟勋 .

中国专利 :CN100416774C ,2007-03-21

[8]

在半导体器件中形成金属图案的方法 [P].

梁基洪 ;

晋圭安 .

中国专利 :CN101097866A ,2008-01-02

[9]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

李相彧 .

中国专利 :CN101197257A ,2008-06-11

[10]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

高玮 .

中国专利 :CN110911272A ,2020-03-24

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