在半导体器件中形成金属图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710002435.X

申请日：

2007-01-17

公开(公告)号：

CN101097866A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

梁基洪晋圭安

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21321

IPC分类号：

H01L213213 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2012-03-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101211509919 IPC(主分类):H01L 21/321 专利号:ZL200710002435X 申请日:20070117 授权公告日:20090812 终止日期:20110117
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

李相彧 .

中国专利 :CN101197257A ,2008-06-11

[2]

半导体器件中形成金属图案和形成栅极电极的方法 [P].

吴相录 ;

刘载善 .

中国专利 :CN101211783A ,2008-07-02

[3]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[4]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 .

中国专利 :CN100595888C ,2008-07-02

[5]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

金钟勋 .

中国专利 :CN100416774C ,2007-03-21

[6]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

金原圭 .

中国专利 :CN101740357A ,2010-06-16

[7]

在半导体器件中形成细微图案的方法 [P].

金原圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101335182A ,2008-12-31

[8]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

高玮 .

中国专利 :CN110911272A ,2020-03-24

[9]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101271826A ,2008-09-24

[10]

在半导体器件中形成细微图案的方法 [P].

赵诚允 ;

李昌九 .

中国专利 :CN101271830B ,2008-09-24

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