气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010117593.1

申请日：

2010-03-04

公开(公告)号：

CN101798511A

公开(公告)日：

2010-08-11

发明(设计)人：

沈悦仇恒抗张建成

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C09K1189

IPC分类号：

C09K1188

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

陆聪明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-11	公开	公开
2013-08-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101653657681 IPC(主分类):C09K 11/89 专利申请号:2010101175931 申请公布日:20100811
2010-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006242409 IPC(主分类):C09K 11/89 专利申请号:2010101175931 申请日:20100304

共 50 条

[1]

一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法 [P].

杨琴 ;

唐政 ;

孙放 .

中国专利 :CN102167977A ,2011-08-31

[2]

II－VI族荧光标识半导体量子点MX的制备方法 [P].

张建成 ;

刘国勇 ;

聂波 ;

沈悦 ;

戴宁 .

中国专利 :CN1328351C ,2006-03-08

[3]

硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法 [P].

宋振伟 ;

张建成 ;

沈悦 ;

陈丽霞 ;

尤陈霞 ;

颜浩 ;

俞本伟 .

中国专利 :CN101215467B ,2008-07-09

[4]

Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物量子点的合成方法 [P].

许献美 ;

周立亚 ;

莫福旺 ;

龚福忠 ;

王益林 .

中国专利 :CN102851030B ,2013-01-02

[5]

低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法 [P].

贺蓉 ;

古宏晨 .

中国专利 :CN1553476A ,2004-12-08

[6]

硫化镉半导体量子点的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986726A ,2007-06-27

[7]

第III‑V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点 [P].

史蒂文·丹尼尔斯 ;

詹姆斯·哈里斯 ;

保罗·安东尼·格拉维 ;

凯瑟琳·奥查德 ;

阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 .

中国专利 :CN105051153B ,2015-11-11

[8]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[9]

第III-V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点 [P].

史蒂文·丹尼尔斯 ;

詹姆斯·哈里斯 ;

保罗·安东尼·格拉维 ;

凯瑟琳·奥查德 ;

阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 .

中国专利 :CN108048084B ,2018-05-18

[10]

含镉荧光半导体量子点的制备方法 [P].

朱明强 ;

刘金华 ;

樊俊兵 ;

徐晓波 .

中国专利 :CN101245247B ,2008-08-20

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