第III-V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810020740.X

申请日：

2014-03-13

公开(公告)号：

CN108048084B

公开(公告)日：

2018-05-18

发明(设计)人：

史蒂文·丹尼尔斯詹姆斯·哈里斯保罗·安东尼·格拉维凯瑟琳·奥查德阿伦·纳拉亚纳斯瓦米

申请人：

申请人地址：

英国曼彻斯特

IPC主分类号：

C09K1170

IPC分类号：

C09K1102 C09K1156 C09K1188 C01B2514 B82Y2000 B82Y3000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

程纾孟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/70 申请日:20140313
2021-03-23	授权	授权
2018-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

第III‑V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点 [P].

史蒂文·丹尼尔斯 ;

詹姆斯·哈里斯 ;

保罗·安东尼·格拉维 ;

凯瑟琳·奥查德 ;

阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 .

中国专利 :CN105051153B ,2015-11-11

[2]

硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法 [P].

宋振伟 ;

张建成 ;

沈悦 ;

陈丽霞 ;

尤陈霞 ;

颜浩 ;

俞本伟 .

中国专利 :CN101215467B ,2008-07-09

[3]

具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体 [P].

达维德·埃尔贝塔 .

中国专利 :CN102468438A ,2012-05-23

[4]

一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法 [P].

杨琴 ;

唐政 ;

孙放 .

中国专利 :CN102167977A ,2011-08-31

[5]

III－V族化合物半导体晶片 [P].

三浦祥纪 ;

森本俊之 .

中国专利 :CN1090382C ,1998-12-16

[6]

具有III-V族核心和合金化II-VI族外壳的量子点 [P].

塞格尔·亨斯 ;

米凯尔·泰西耶 ;

多里安·杜邦 .

中国专利 :CN110088227B ,2019-08-02

[7]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN110234801B ,2019-09-13

[8]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN112838122A ,2021-05-25

[9]

III-V族化合物半导体发光元件和III-V族化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN119817194A ,2025-04-11

[10]

堆叠状的III-V族半导体构件 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110364565A ,2019-10-22

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