具有III-V族核心和合金化II-VI族外壳的量子点

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780078147.4
申请日
2017-12-19
公开(公告)号
CN110088227B
公开(公告)日
2019-08-02
发明(设计)人
塞格尔·亨斯 米凯尔·泰西耶 多里安·杜邦
申请人
申请人地址
比利时根特
IPC主分类号
C09K1102
IPC分类号
C09K1156 C09K1170 C09K1174 C09K1188
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
吴胜周
法律状态
公开
国省代码
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共 3 条
[1]
第III-V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点 [P]. 
史蒂文·丹尼尔斯 ;
詹姆斯·哈里斯 ;
保罗·安东尼·格拉维 ;
凯瑟琳·奥查德 ;
阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 .
中国专利 :CN108048084B ,2018-05-18
[2]
第III‑V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点 [P]. 
史蒂文·丹尼尔斯 ;
詹姆斯·哈里斯 ;
保罗·安东尼·格拉维 ;
凯瑟琳·奥查德 ;
阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 .
中国专利 :CN105051153B ,2015-11-11
[3]
一种基于III-V族窄禁带半导体异质结构的自旋信号探测器 [P]. 
寇煦丰 ;
孙璐 ;
薛丰铧 ;
刘晓阳 .
中国专利 :CN113270542A ,2021-08-17