III-V族化合物半导体发光元件和III-V族化合物半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380062529.3

申请日：

2023-08-28

公开(公告)号：

CN119817194A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

小鹿优太门胁嘉孝

申请人：

同和电子科技有限公司

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10H20/824

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李恩华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/824申请日:20230828

共 50 条

[1]

III－V族化合物半导体晶片 [P].

三浦祥纪 ;

森本俊之 .

中国专利 :CN1090382C ,1998-12-16

[2]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN110234801B ,2019-09-13

[3]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN112838122A ,2021-05-25

[4]

III-V族化合物半导体及其制造方法 [P].

清水诚也 ;

森岛进一 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN100517571C ,2006-01-04

[5]

III-V族化合物半导体装置的制造方法 [P].

中井荣治 .

中国专利 :CN112154535A ,2020-12-29

[6]

III-V族化合物半导体装置的制造方法 [P].

中井荣治 .

日本专利 :CN112154535B ,2024-04-30

[7]

化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

太田优 ;

平野立一 .

中国专利 :CN108977888A ,2018-12-11

[8]

化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

太田优 ;

平野立一 .

中国专利 :CN105247117A ,2016-01-13

[9]

III-V族化合物半导体元件之电极生成方法 [P].

辻井胜己 ;

原田昌道 .

中国专利 :CN86108717A ,1987-07-22

[10]

III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

程永健 .

中国专利 :CN117438299B ,2024-03-29

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