III-V族化合物半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880093229.0

申请日：

2018-05-24

公开(公告)号：

CN112154535A

公开(公告)日：

2020-12-29

发明(设计)人：

中井荣治

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21223

IPC分类号：

H01L2122 H01S5042 H01S5343

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

金世煜;李书慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	公开	公开
2021-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/223 申请日:20180524

共 50 条

[1]

III-V族化合物半导体装置的制造方法 [P].

中井荣治 .

日本专利 :CN112154535B ,2024-04-30

[2]

III-V族化合物半导体及其制造方法 [P].

清水诚也 ;

森岛进一 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN100517571C ,2006-01-04

[3]

III-V族化合物半导体发光元件和III-V族化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN119817194A ,2025-04-11

[4]

III－V族化合物半导体晶片 [P].

三浦祥纪 ;

森本俊之 .

中国专利 :CN1090382C ,1998-12-16

[5]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN110234801B ,2019-09-13

[6]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN112838122A ,2021-05-25

[7]

III-V族化合物半导体单晶基板及其制造方法 [P].

佐田野正崇 ;

鸿池一晓 ;

柳泽拓弥 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN119053733A ,2024-11-29

[8]

III-V族化合物半导体单晶基板及其制造方法 [P].

野田和希 ;

上松康二 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN118355155A ,2024-07-16

[9]

III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

程永健 .

中国专利 :CN117438299B ,2024-03-29

[10]

III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

程永健 .

中国专利 :CN117438299A ,2024-01-23

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