III-V族化合物半导体单晶基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280094765.9

申请日：

2022-04-27

公开(公告)号：

CN119053733A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

佐田野正崇鸿池一晓柳泽拓弥桥尾克司

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B29/42

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

杨卫萍;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20220427
2024-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

III-V族化合物半导体单晶基板及其制造方法 [P].

野田和希 ;

上松康二 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN118355155A ,2024-07-16

[2]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN110234801B ,2019-09-13

[3]

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板 [P].

藤原新也 ;

三好知顕 .

中国专利 :CN112838122A ,2021-05-25

[4]

III-V族化合物半导体及其制造方法 [P].

清水诚也 ;

森岛进一 ;

佐佐木诚 .

中国专利 :CN100517571C ,2006-01-04

[5]

III-V族化合物半导体发光元件和III-V族化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN119817194A ,2025-04-11

[6]

III－V族化合物半导体晶片 [P].

三浦祥纪 ;

森本俊之 .

中国专利 :CN1090382C ,1998-12-16

[7]

III-V族化合物半导体装置的制造方法 [P].

中井荣治 .

中国专利 :CN112154535A ,2020-12-29

[8]

III-V族化合物半导体装置的制造方法 [P].

中井荣治 .

日本专利 :CN112154535B ,2024-04-30

[9]

化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

太田优 ;

平野立一 .

中国专利 :CN108977888A ,2018-12-11

[10]

化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法 [P].

野田朗 ;

太田优 ;

平野立一 .

中国专利 :CN105247117A ,2016-01-13

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