半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201380033792.6
申请日
2013-05-27
公开(公告)号
CN104396011B
公开(公告)日
2015-03-04
发明(设计)人
池内宏树
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L23433
IPC分类号
H01L23495 H01L2364
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
干欣颖
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
下田一郎 .
中国专利 :CN203339144U ,2013-12-11
[2]
半导体装置 [P]. 
井越太朗 .
中国专利 :CN114080672A ,2022-02-22
[3]
半导体装置 [P]. 
井越太朗 .
日本专利 :CN114080672B ,2025-09-02
[4]
半导体装置 [P]. 
稻叶庆吾 .
中国专利 :CN112736057A ,2021-04-30
[5]
半导体装置、半导体装置的制造方法以及基板 [P]. 
高桥利英 ;
宫川春彦 ;
下川一生 .
日本专利 :CN120413557A ,2025-08-01
[6]
半导体装置以及半导体模块 [P]. 
六分一穗隆 ;
佐藤邦孝 ;
北井清文 ;
三田泰之 .
中国专利 :CN110998832A ,2020-04-10
[7]
半导体装置及半导体模组 [P]. 
中野贵博 ;
大泽青吾 ;
大仓康嗣 ;
水野直仁 ;
犬塚仁浩 .
日本专利 :CN121240508A ,2025-12-30
[8]
半导体元件和半导体装置 [P]. 
松原佑典 ;
今藤修 ;
安藤裕之 ;
竹原秀树 ;
四户孝 ;
冲川满 .
中国专利 :CN115053354A ,2022-09-13
[9]
半导体元件和半导体装置 [P]. 
松原佑典 ;
今藤修 ;
安藤裕之 ;
竹原秀树 ;
四户孝 ;
冲川满 .
中国专利 :CN115053355A ,2022-09-13
[10]
半导体模块以及半导体装置 [P]. 
长谷川真纪 ;
横山脩平 ;
柴田祥吾 ;
森茂 ;
岩上彻 .
中国专利 :CN210296341U ,2020-04-10