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制造半导体器件的方法以及电镀装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200710136784.0
申请日：
2007-07-27
公开(公告)号：
CN101114590A
公开(公告)日：
2008-01-30
发明(设计)人：
有田幸司
北尾良平
申请人：
申请人地址：
日本神奈川
IPC主分类号：
H01L21288
IPC分类号：
H01L21768
H01L213205
C25D2112
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：
孙志湧;陆锦华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2009-10-14 | 授权 | 授权 |
| 2018-01-02 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/288 变更事项:专利权人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川 变更后:日本东京 |
| 2008-03-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2008-01-30 | 公开 | 公开 |
| 2010-12-29 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101057986865 IPC(主分类):H01L 21/288 专利号:ZL2007101367840 变更事项:专利权人 变更前权利人:恩益禧电子股份有限公司 变更后权利人:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本神奈川 变更后权利人:日本神奈川 登记生效日:20101123 |