一种多用途硅微纳米结构制备技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810183135.0

申请日：

2008-12-12

公开(公告)号：

CN101540348B

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

彭奎庆王新

申请人：

申请人地址：

100875 北京市新街口外大街19号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

G01N2100 H01M404 H01M1400 H01G904 H01G920 B82B300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	公开	公开
2020-11-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20081212 授权公告日:20110316 终止日期:20191212
2011-03-16	授权	授权
2010-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003018550 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2008101831350 申请日:20081212

共 50 条

[1]

一种新型硅微纳米结构制备技术 [P].

彭奎庆 ;

张付强 ;

付昊鑫 .

中国专利 :CN109545679A ,2019-03-29

[2]

一种多用途Silicon/α-Fe2O3微纳米复合材料制备方法 [P].

彭奎庆 ;

王新 .

中国专利 :CN103372433A ,2013-10-30

[3]

一种硅微纳米结构的制备方法 [P].

彭奎庆 ;

胡雅 .

中国专利 :CN105347345A ,2016-02-24

[4]

一种硅微纳米结构制备装置及方法 [P].

彭奎庆 ;

张付强 ;

付浩鑫 ;

勾宪芳 ;

霍晨亮 .

中国专利 :CN108205238A ,2018-06-26

[5]

一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法 [P].

曾阿梅 ;

陈静 ;

方长青 ;

程有亮 .

中国专利 :CN114415468B ,2025-05-23

[6]

一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法 [P].

曾阿梅 ;

陈静 ;

方长青 ;

程有亮 .

中国专利 :CN114415468A ,2022-04-29

[7]

一种曲面基底微纳米结构的高精度制备方法 [P].

刘鑫 ;

李敏 ;

杜俊峰 ;

边疆 ;

雷柏平 ;

范斌 ;

杨虎 ;

亓波 .

中国专利 :CN118744963A ,2024-10-08

[8]

一种制备多功能硅微纳米结构材料的方法 [P].

彭奎庆 ;

胡雅 .

中国专利 :CN103553046A ,2014-02-05

[9]

一种微纳米结构复合膜、制备方法及其用途 [P].

魏延生 .

中国专利 :CN115090131A ,2022-09-23

[10]

一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法 [P].

苏晓东 ;

胡奋琴 .

中国专利 :CN107546285A ,2018-01-05

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