用于增加微电子封装中电触点表面面积的结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210057891.5

申请日：

2012-03-07

公开(公告)号：

CN102646655A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

罗珮聪杨丹史训清

申请人：

申请人地址：

香港新界沙田

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L27146 H01L21768

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

张春媛;阎娬斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-22	公开	公开
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333911597 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2012100578915 申请日:20120307
2014-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

微电子封装结构、拆卸微电子封装的方法 [P].

杰西姆·海因茨·斯考伯 .

中国专利 :CN102197474A ,2011-09-21

[2]

微电子封装结构及形成微电子封装结构的方法 [P].

R·K·纳拉 ;

H·R·阿兹米 ;

J·S·古扎克 ;

J·S·冈萨雷斯 ;

D·W·德莱尼 .

中国专利 :CN102834906B ,2012-12-19

[3]

用于微电子封装衬底的多个表面处理 [P].

吴涛 ;

C·古鲁墨菲 ;

R·A·奥尔梅多 .

中国专利 :CN102598258A ,2012-07-18

[4]

用于微电子器件的布线层、包含其的微电子封装以及在用于微电子器件的布线层中形成多厚度导体的方法 [P].

H·朱马 ;

I·A·萨拉马 ;

Y·李 .

中国专利 :CN101471322B ,2009-07-01

[5]

微电子封装和冷却微电子封装中的互连特征的方法 [P].

G·M·克里斯勒 ;

R·V·马哈詹 ;

C·-P·赵 .

中国专利 :CN101399240B ,2009-04-01

[6]

微电子中的铜电沉积 [P].

文森特·派纳卡西奥 ;

林宣 ;

保罗·菲格瑞 ;

理查德·荷特比斯 .

中国专利 :CN101099231B ,2008-01-02

[7]

微电子中的铜电沉积 [P].

小文森特·M·帕纳卡索 ;

林宣 ;

保罗·费格拉 ;

理查德·哈图比斯 ;

克里斯蒂娜·怀特 .

中国专利 :CN101416292B ,2009-04-22

[8]

用于微电子结构中的互连垫的表面末道层 [P].

S.V.皮坦巴拉姆 ;

K.O.李 .

美国专利 :CN110233141B ,2024-01-23

[9]

用于微电子结构中的互连垫的表面末道层 [P].

S.V.皮坦巴拉姆 ;

K.O.李 .

中国专利 :CN107251216B ,2017-10-13

[10]

用于微电子结构中的互连垫的表面末道层 [P].

S.V.皮坦巴拉姆 ;

K.O.李 .

中国专利 :CN110233141A ,2019-09-13

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