离子注入系统、确定离子束的轮廓的方法和执行剂量控制的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480062577.3

申请日：

2014-11-20

公开(公告)号：

CN105723247B

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

佐藤秀

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

G01T134

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

杨静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688570711 IPC(主分类):G01T 1/34 专利申请号:2014800625773 申请日:20141120
2018-11-23	授权	授权
2016-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

用于离子注入系统的离子束角度测量系统和方法 [P].

布赖恩·弗瑞尔 ;

亚历山大·普瑞尔 .

中国专利 :CN101361160A ,2009-02-04

[2]

用于确定离子束轮廓的方法和系统 [P].

迈克尔·葛雷夫 ;

约翰·叶 ;

波·凡德尔贝格 ;

迈克尔·克里斯托弗罗 ;

黄永章 .

中国专利 :CN101675494B ,2010-03-17

[3]

注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶片注入的方法 [P].

郑迺汉 ;

张钧琳 ;

彭文煜 .

中国专利 :CN100530548C ,2007-01-10

[4]

离子注入器中离子束形成的方法和装置 [P].

Ｖ·Ｍ·本文尼斯特 .

中国专利 :CN1101593C ,1997-09-24

[5]

离子束测量方法和离子注入装置 [P].

海势头圣 ;

滨本成显 ;

池尻忠司 ;

田中浩平 .

中国专利 :CN101079362A ,2007-11-28

[6]

用于改进离子注入均匀性的离子束扫描系统和方法 [P].

B·范德贝里 ;

A·雷 ;

K·温策尔 .

中国专利 :CN101002294A ,2007-07-18

[7]

离子注入系统及具有可变能量控制的方法 [P].

科松·柯-泉珍 ;

马文·法利 .

中国专利 :CN106133872A ,2016-11-16

[8]

扫描离子注入系统中原位离子束电流的监测与控制 [P].

阿尔弗雷德·哈林 .

中国专利 :CN109643628A ,2019-04-16

[9]

离子束扫描控制方法和用于均匀注入离子的系统 [P].

V·本维尼斯特 ;

W·迪弗吉利奥 ;

P·凯勒曼 .

中国专利 :CN101124650A ,2008-02-13

[10]

离子束分析装置、离子注入装置及方法、磁通量控制方法 [P].

苏文华 ;

齐玉 .

中国专利 :CN117810054A ,2024-04-02

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