一种高密度HfO2靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811508783.9

申请日：

2018-12-11

公开(公告)号：

CN109369180A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

白雪刘宇阳杨磊桂涛王星明储茂友韩沧张恒

申请人：

申请人地址：

101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号

IPC主分类号：

C04B3548

IPC分类号：

C04B35622 C04B35626 C04B35645

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

陈波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	授权	授权
2019-02-22	公开	公开
2021-04-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/48 登记生效日:20210414 变更事项:申请人变更前权利人:有研工程技术研究院有限公司变更后权利人:有研资源环境技术研究院（北京）有限公司变更事项:地址变更前权利人:101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号变更后权利人:101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
2019-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/48 申请日:20181211

共 50 条

[1]

一种高密度CZT靶材及其制备方法 [P].

罗海奇 ;

文崇斌 ;

胡智向 ;

徐文娜 ;

王鹏飞 ;

朱卓南 .

中国专利 :CN117776720A ,2024-03-29

[2]

一种制备高密度氧化物陶瓷靶材的方法 [P].

曾学云 ;

刘洋 ;

孙本双 ;

舒永春 ;

何季麟 .

中国专利 :CN107814561A ,2018-03-20

[3]

高密度、高纯度、大尺寸陶瓷靶材的制备方法 [P].

岳鑫 ;

吕延庆 ;

肖飞 ;

张福林 ;

韩小莹 ;

赵洪俭 .

中国专利 :CN114195513A ,2022-03-18

[4]

一种高纯、高密度GaTe靶材的制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

童培云 .

中国专利 :CN114645252A ,2022-06-21

[5]

一种高密度氧化锡基陶瓷靶材及其制备方法 [P].

文宏福 ;

李鹏 ;

蔡正明 .

中国专利 :CN118515477A ,2024-08-20

[6]

一种超高密度的ITO靶材制备工艺 [P].

曾墩风 ;

张兵 ;

王志强 ;

曾探 ;

陈光园 .

中国专利 :CN118978397A ,2024-11-19

[7]

一种高密度镍镁氧靶材及其制备方法 [P].

谢小林 ;

张世翔 ;

潘泓羽 ;

文崇斌 .

中国专利 :CN117776673A ,2024-03-29

[8]

一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置 [P].

黄信二 .

中国专利 :CN207549022U ,2018-06-29

[9]

一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置 [P].

陈钦忠 ;

陈宝忠 .

中国专利 :CN206264107U ,2017-06-20

[10]

一种高密度陶瓷靶材生胚的制造装置 [P].

干晓吟 ;

张昊然 ;

孙乐驰 ;

张磊 .

中国专利 :CN211492049U ,2020-09-15

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