半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010054768.2

申请日：

2020-01-17

公开(公告)号：

CN111524974A

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

吴伟成亚历山大·卡尔尼斯基罗仕豪柯弘彬

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2945 H01L21336

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

薛恒;王琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200117
2020-08-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

服卷直美 ;

加藤芳健 ;

井上显 .

中国专利 :CN100388498C ,2006-01-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 .

中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN102610611A ,2012-07-25

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

白贤锡 ;

李银河 ;

丁炫硕 ;

韩成基 ;

梁旼镐 .

中国专利 :CN1996614A ,2007-07-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉田哲也 .

中国专利 :CN109585565A ,2019-04-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

张海洋 ;

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101197285A ,2008-06-11

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

水岛一郎 ;

甲斐彻哉 ;

小泽良夫 ;

村冈浩一 ;

中村新一 .

中国专利 :CN1713384A ,2005-12-28

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

水谷齐治 ;

井上真雄 ;

梅田浩司 ;

门岛胜 .

中国专利 :CN104425576A ,2015-03-18

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