一种负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111313823.6

申请日：

2021-11-08

公开(公告)号：

CN114122401A

公开(公告)日：

2022-03-01

发明(设计)人：

蔡泽林陈杰杨山

申请人：

申请人地址：

516100 广东省惠州市博罗县园洲镇东坡大道欣旺达产业园4号、5号、6号、17号厂房1-4楼、18号厂房

IPC主分类号：

H01M462

IPC分类号：

H01M4587 H01M4133 H01M100525 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

潘俊达;王滔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/62 申请日:20211108
2022-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

蒋世权 ;

曾力 ;

高云雷 ;

于子龙 ;

杨山 ;

陈杰 .

中国专利 :CN117374251A ,2024-01-09

[2]

硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

陈功锋 .

中国专利 :CN113410442A ,2021-09-17

[3]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

叶林 ;

蓝利芳 ;

刘鹤 ;

杨超 ;

刘伟星 ;

刘艳丽 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114044516B ,2024-01-16

[4]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

叶林 ;

蓝利芳 ;

刘鹤 ;

杨超 ;

刘伟星 ;

刘艳丽 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114044516A ,2022-02-15

[5]

一种负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

柯进 ;

马斌 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN115101731A ,2022-09-23

[6]

一种负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

王震 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114551827A ,2022-05-27

[7]

负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

王欣雨 ;

魏建良 ;

董童明 .

中国专利 :CN120356925A ,2025-07-22

[8]

负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

王欣雨 ;

魏建良 ;

董童明 .

中国专利 :CN120356925B ,2025-09-02

[9]

硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

林宁 ;

徐涛 .

中国专利 :CN119890258A ,2025-04-25

[10]

二次电池用负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

蔡泽林 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114335459A ,2022-04-12

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