利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610003072.7

申请日：

2006-02-08

公开(公告)号：

CN100424825C

公开(公告)日：

2007-08-15

发明(设计)人：

杨少延陈涌海李成明范海波王占国

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

C23C1435 C23C1458 C23C1400

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-08	授权	授权
2007-08-15	公开	公开
2010-06-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101003158120 IPC(主分类):H01L 21/203 专利号:ZL2006100030727 申请日:20060208 授权公告日:20081008

共 50 条

[1]

基于硅基可协变衬底制备氧化锌薄膜的方法 [P].

倪明堂 ;

赵健州 ;

何立波 ;

吴俊美 .

中国专利 :CN114664664A ,2022-06-24

[2]

生长氧化锌薄膜材料的方法 [P].

王振华 ;

刘祥林 ;

杨少延 ;

杨安丽 .

中国专利 :CN101831693A ,2010-09-15

[3]

一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 [P].

杨少延 ;

范海波 ;

李成明 ;

陈涌海 ;

王占国 .

中国专利 :CN100546017C ,2008-07-02

[4]

利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 [P].

沈文娟 ;

曾一平 ;

王俊 .

中国专利 :CN1840747A ,2006-10-04

[5]

纳米有序氧化锌薄膜材料的制备方法 [P].

姚陈忠 ;

李晖 ;

李军 ;

蒋洪石 ;

弓巧娟 .

中国专利 :CN103397326A ,2013-11-20

[6]

一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法 [P].

王惠琼 ;

李东华 ;

周华 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN105742158A ,2016-07-06

[7]

具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法 [P].

傅竹西 ;

朱俊杰 ;

姚然 ;

林碧霞 .

中国专利 :CN1797709A ,2006-07-05

[8]

利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 [P].

沈文娟 ;

曾一平 ;

王启元 ;

王俊 .

中国专利 :CN100415932C ,2006-10-04

[9]

一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法 [P].

张道礼 ;

吴启明 ;

张建兵 .

中国专利 :CN1932086A ,2007-03-21

[10]

用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法 [P].

臧竞存 ;

邹玉林 ;

迟静 ;

何斌 ;

翟琳 .

中国专利 :CN1588616A ,2005-03-02

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