利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510062743.2

申请日：

2005-03-28

公开(公告)号：

CN1840747A

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

沈文娟曾一平王俊

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2948 H01L21365

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-18	授权	授权
2006-10-04	公开	公开
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-27	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 [P].

沈文娟 ;

曾一平 ;

王启元 ;

王俊 .

中国专利 :CN100415932C ,2006-10-04

[2]

氧化锌单晶 [P].

吉冈贤治 ;

米山博 ;

前田克已 ;

新仓郁生 ;

佐藤充 ;

伊藤真隅 .

中国专利 :CN100390329C ,2006-05-03

[3]

生长氧化锌薄膜材料的方法 [P].

王振华 ;

刘祥林 ;

杨少延 ;

杨安丽 .

中国专利 :CN101831693A ,2010-09-15

[4]

一种利用缓冲层技术生长氧化锌薄膜的方法 [P].

熊辉 ;

叶苍竹 ;

师岩峰 ;

官守军 ;

吕奎 .

中国专利 :CN104928629A ,2015-09-23

[5]

一种制备氧化锌薄膜的方法和氧化锌薄膜 [P].

陈莉萍 ;

郭雪祥 ;

何绿 ;

黄仕华 ;

郭海 .

中国专利 :CN105112851A ,2015-12-02

[6]

制备氧化锌薄膜的方法 [P].

尹根尚 ;

金序炫 ;

李铉熙 ;

刘泳祚 .

中国专利 :CN103849854A ,2014-06-11

[7]

一种利用氧化铁缓冲层制备氧化锌单晶薄膜的方法 [P].

薛名山 ;

李文 ;

欧军飞 ;

王法军 .

中国专利 :CN102586867A ,2012-07-18

[8]

氧化锌薄膜形成用组合物和氧化锌薄膜的制造方法 [P].

竹元裕仁 ;

二子石师 ;

青木雅裕 .

中国专利 :CN111758053B ,2020-10-09

[9]

氧化锌单晶的制造方法 [P].

田中吉积 ;

藤井一宏 .

中国专利 :CN101646809A ,2010-02-10

[10]

氧化锌烧结体、溅射靶材以及氧化锌薄膜 [P].

召田雅实 ;

仓持豪人 ;

饭草仁志 ;

尾身健治 ;

涩田见哲夫 .

中国专利 :CN103249693B ,2013-08-14

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