一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810097825.8

申请日：

2018-01-31

公开(公告)号：

CN108346739B

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

徐明吴倩倩缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

许恒恒;李智

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180131
2019-09-13	授权	授权
2018-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用 [P].

徐明 ;

沈颖华 ;

麦贤良 ;

王欢 ;

刘永鹏 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115835770B ,2025-10-31

[2]

一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用 [P].

徐明 ;

林俊 ;

李博文 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110571327B ,2019-12-13

[3]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[4]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

[5]

Dy-Ge-Sb-Te和Dy-Sb-Te相变存储材料 [P].

韩晓东 ;

陈永金 ;

张斌 .

中国专利 :CN105428532A ,2016-03-23

[6]

Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料 [P].

韩晓东 ;

陈永金 ;

张斌 .

中国专利 :CN105428531A ,2016-03-23

[7]

C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN110098322A ,2019-08-06

[8]

In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718627A ,2020-01-21

[9]

一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

程丽敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

刘波 ;

彭程 .

中国专利 :CN102347446B ,2012-02-08

[10]

纳米复合Ti-Ge-Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

陈康雄 ;

刁懿 ;

汤皓婷 ;

张贤 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

胡益丰 .

中国专利 :CN111276610A ,2020-06-12

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