一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910734408.4

申请日：

2019-08-09

公开(公告)号：

CN110571327B

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

徐明林俊李博文缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1416 C23C1418 C23C1435

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

许恒恒;李智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	授权	授权
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190809
2019-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用 [P].

徐明 ;

沈颖华 ;

麦贤良 ;

王欢 ;

刘永鹏 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115835770B ,2025-10-31

[2]

Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110729401B ,2020-01-24

[3]

一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用 [P].

徐明 ;

吴倩倩 ;

缪向水 .

中国专利 :CN108346739B ,2018-07-31

[4]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

李学来 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

任堃 ;

吴良才 ;

刘波 ;

刘卫丽 .

中国专利 :CN102142518B ,2011-08-03

[5]

一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 ;

周夕淋 ;

任堃 ;

封松林 .

中国专利 :CN102593355A ,2012-07-18

[6]

C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN110098322A ,2019-08-06

[7]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[8]

一种纳米复合相变材料及其制备与应用 [P].

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101660118B ,2010-03-03

[9]

一种Ge-Sb基相变材料及多级相变存储器 [P].

徐明 ;

张立伟 ;

缪向水 .

中国专利 :CN112331767A ,2021-02-05

[10]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

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