Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910828813.2

申请日：

2019-09-03

公开(公告)号：

CN110729401B

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

徐明徐萌缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224

代理人：

李佑宏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	公开	公开
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190903
2021-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110729400B ,2020-01-24

[2]

In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718627A ,2020-01-21

[3]

一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用 [P].

徐明 ;

林俊 ;

李博文 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110571327B ,2019-12-13

[4]

相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718628B ,2020-01-21

[5]

一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

邹华 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

薛建忠 ;

张建豪 ;

郑龙 ;

吴世臣 ;

袁丽 ;

孙月梅 ;

吴卫华 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN106229409B ,2016-12-14

[6]

一种Ge-Sb基相变材料及多级相变存储器 [P].

徐明 ;

张立伟 ;

缪向水 .

中国专利 :CN112331767A ,2021-02-05

[7]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[8]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[9]

一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

程丽敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

刘波 ;

彭程 .

中国专利 :CN102347446B ,2012-02-08

[10]

一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 ;

周夕淋 ;

任堃 ;

封松林 .

中国专利 :CN102593355A ,2012-07-18

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