厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110234203.3

申请日：

2011-08-12

公开(公告)号：

CN102426871A

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

石山直希粟洼慎吾

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01B122

IPC分类号：

H01C114

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

崔香丹;张永康

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	授权	授权
2012-04-25	公开	公开
2012-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101261319206 IPC(主分类):H01B 1/22 专利申请号:2011102342033 申请日:20110812

共 50 条

[1]

厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体 [P].

石山直希 .

中国专利 :CN105047251A ,2015-11-11

[2]

厚膜导体形成用组合物 [P].

川久保胜弘 ;

安达良典 ;

粟洼慎吾 .

中国专利 :CN1822240A ,2006-08-23

[3]

厚膜导体形成用粉末组合物以及厚膜导体形成用浆料 [P].

粟洼慎吾 .

中国专利 :CN109994246B ,2019-07-09

[4]

厚膜导体形成用Cu膏组合物及厚膜导体 [P].

川久保胜弘 ;

长谷见正明 .

中国专利 :CN107533877A ,2018-01-02

[5]

电阻器用组合物及含有该组合物的电阻器用糊膏及使用该组合物的厚膜电阻器 [P].

川久保胜弘 .

中国专利 :CN110291599A ,2019-09-27

[6]

厚膜电阻组合物 [P].

早川佳一郎 ;

佐腾刚 ;

J·D·史密斯 ;

W·博兰 .

中国专利 :CN1032722C ,1993-12-29

[7]

粘着力增强的厚膜导体组合物 [P].

M·H·拉布兰治 ;

B·J·施克林 ;

B·E·泰勒 .

中国专利 :CN1129340A ,1996-08-21

[8]

厚膜电阻及其制法、厚膜电阻用玻璃组合物及厚膜电阻膏 [P].

五十岚克彦 ;

田中博文 .

中国专利 :CN1825504A ,2006-08-30

[9]

用于LTCC带的厚膜导体糊状组合物 [P].

Y·王 ;

C·R·尼迪斯 ;

P·A·奥利维尔 .

中国专利 :CN1637957A ,2005-07-13

[10]

氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体 [P].

川久保胜弘 ;

前田俊辉 ;

进藤拓生 ;

永野崇仁 .

中国专利 :CN103429537A ,2013-12-04

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