电容器结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210195494.4
申请日
2012-06-13
公开(公告)号
CN103247698B
公开(公告)日
2013-08-14
发明(设计)人
林泰群 陈文昭 戴志和 毛明瑞 蔡冠智
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L2994
IPC分类号
H01L2102
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;孙征
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其形成方法 [P]. 
梁虔硕 ;
戴志和 ;
黄敬泓 ;
何盈苍 ;
江柏融 .
中国专利 :CN104733431B ,2015-06-24
[2]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
C·巴斯切里 ;
F·D·吉利 ;
G·S·桑胡 .
中国专利 :CN1820352A ,2006-08-16
[3]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
王晓东 ;
钱蔚宏 ;
王西宁 .
中国专利 :CN117577622A ,2024-02-20
[4]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
吴轶超 .
中国专利 :CN118016651A ,2024-05-10
[5]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
钟伟纶 ;
陈重磊 ;
郑安皓 ;
李建纬 ;
林彦良 ;
萧茹雄 .
中国专利 :CN119069543A ,2024-12-03
[6]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
王晓东 ;
钱蔚宏 ;
王西宁 .
中国专利 :CN117577623A ,2024-02-20
[7]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
钱蔚宏 ;
王晓东 ;
王西宁 ;
曲俊凡 ;
黄曦 .
中国专利 :CN117577624A ,2024-02-20
[8]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
陈亮 ;
甘程 ;
吴昕 ;
刘威 .
中国专利 :CN110622305B ,2019-12-27
[9]
电容器结构及其形成方法 [P]. 
吴轶超 ;
金吉松 .
中国专利 :CN117954433A ,2024-04-30
[10]
形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器 [P]. 
崔在亨 ;
郑正喜 ;
金晟泰 ;
柳次英 ;
金基哲 ;
吴世勋 ;
崔正植 .
中国专利 :CN102082079A ,2011-06-01