电容器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211349113.3

申请日：

2022-10-31

公开(公告)号：

CN117954433A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

吴轶超金吉松

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H10N97/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张瑞

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/64申请日:20221031

共 50 条

[1]

电容器结构及其形成方法 [P].

吴轶超 .

中国专利 :CN118016651A ,2024-05-10

[2]

电容器结构及其形成方法 [P].

王晓东 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 .

中国专利 :CN117577622A ,2024-02-20

[3]

电容器结构及其形成方法 [P].

钟伟纶 ;

陈重磊 ;

郑安皓 ;

李建纬 ;

林彦良 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN119069543A ,2024-12-03

[4]

电容器结构及其形成方法 [P].

王晓东 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 .

中国专利 :CN117577623A ,2024-02-20

[5]

电容器结构及其形成方法 [P].

钱蔚宏 ;

王晓东 ;

王西宁 ;

曲俊凡 ;

黄曦 .

中国专利 :CN117577624A ,2024-02-20

[6]

电容器结构及其形成方法 [P].

陈亮 ;

甘程 ;

吴昕 ;

刘威 .

中国专利 :CN110622305B ,2019-12-27

[7]

电容器结构及其形成方法 [P].

林泰群 ;

陈文昭 ;

戴志和 ;

毛明瑞 ;

蔡冠智 .

中国专利 :CN103247698B ,2013-08-14

[8]

电容器结构及其形成方法 [P].

C·巴斯切里 ;

F·D·吉利 ;

G·S·桑胡 .

中国专利 :CN1820352A ,2006-08-16

[9]

电容器结构的形成方法 [P].

黄智雄 ;

刘凡瑄 .

中国专利 :CN121240441A ,2025-12-30

[10]

半导体电容器结构及其形成方法 [P].

江红 ;

孔蔚然 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN102214702B ,2011-10-12

← 1 2 3 4 5 →