电容器结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411100866.X

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN119069543A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

钟伟纶陈重磊郑安皓李建纬林彦良萧茹雄

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29/94

IPC分类号：

H01L21/329 H10N97/00

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/94申请日:20240812
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

电容器结构及其形成方法 [P].

王晓东 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 .

中国专利 :CN117577622A ,2024-02-20

[2]

电容器结构及其形成方法 [P].

吴轶超 .

中国专利 :CN118016651A ,2024-05-10

[3]

电容器结构及其形成方法 [P].

王晓东 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 .

中国专利 :CN117577623A ,2024-02-20

[4]

电容器结构及其形成方法 [P].

钱蔚宏 ;

王晓东 ;

王西宁 ;

曲俊凡 ;

黄曦 .

中国专利 :CN117577624A ,2024-02-20

[5]

电容器结构及其形成方法 [P].

陈亮 ;

甘程 ;

吴昕 ;

刘威 .

中国专利 :CN110622305B ,2019-12-27

[6]

电容器结构及其形成方法 [P].

林泰群 ;

陈文昭 ;

戴志和 ;

毛明瑞 ;

蔡冠智 .

中国专利 :CN103247698B ,2013-08-14

[7]

电容器结构及其形成方法 [P].

吴轶超 ;

金吉松 .

中国专利 :CN117954433A ,2024-04-30

[8]

电容器结构及其形成方法 [P].

C·巴斯切里 ;

F·D·吉利 ;

G·S·桑胡 .

中国专利 :CN1820352A ,2006-08-16

[9]

半导体电容器结构及其形成方法 [P].

江红 ;

孔蔚然 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN102214702B ,2011-10-12

[10]

电容器及其形成方法 [P].

钱蔚宏 ;

程仁豪 .

中国专利 :CN102222702A ,2011-10-19

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