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双层外延片的制备方法、设备及双层外延片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811451037.0
申请日：
2018-11-30
公开(公告)号：
CN109509702A
公开(公告)日：
2019-03-22
发明(设计)人：
陈海波
申请人：
申请人地址：
201707 上海市青浦区北青公路8228号二区48号
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
H01L2167 C23C1652 C23C16455
代理机构：
上海脱颖律师事务所 31259
代理人：
李强;倪嘉慧
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-04-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181130
2019-03-22 公开 公开
2020-10-27 著录事项变更 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:发明人 变更前:陈海波 变更后:陈海波 陈建纲
共 50 条
[1]
双层外延片的制备方法、设备及双层外延片 [P]. 
陈海波 ;
陈建纲 .
中国专利 :CN109509702B ,2024-05-28
[2]
双层外延片的生长方法及双层外延片 [P]. 
陈海波 ;
陈建纲 .
中国专利 :CN109371471B ,2019-02-22
[3]
双层外延片的制造设备 [P]. 
陈海波 .
中国专利 :CN209227101U ,2019-08-09
[4]
外延片的制备方法和外延片 [P]. 
林凡 ;
张高俊 ;
倪健 ;
周均铭 .
中国专利 :CN120089592B ,2025-12-02
[5]
外延片的制备方法和外延片 [P]. 
王旭光 ;
邱晓升 ;
王子博 ;
倪健 .
中国专利 :CN120905770A ,2025-11-07
[6]
外延片的制备方法和外延片 [P]. 
林凡 ;
张高俊 ;
倪健 ;
周均铭 .
中国专利 :CN120089592A ,2025-06-03
[7]
硅外延片的制备方法及硅外延片 [P]. 
郭艳敏 ;
王楠 ;
赵堃 ;
莫宇 .
中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30
[8]
外延片的制备方法、外延片及LED芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 .
中国专利 :CN118553820A ,2024-08-27
[9]
外延片的制造方法及外延片 [P]. 
铃木克佳 ;
铃木温 .
中国专利 :CN114930500A ,2022-08-19
[10]
HEMT外延片的制作方法及制备HEMT外延片的设备 [P]. 
李东昇 ;
丁海生 ;
陈善麟 .
中国专利 :CN105655396A ,2016-06-08
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