原子层沉积装置及原子层沉积系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201580010609.X
申请日
2015-02-27
公开(公告)号
CN106030848B
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
曹生贤
申请人
申请人地址
韩国大田广域市
IPC主分类号
H01L5156
IPC分类号
H01L21205
代理机构
北京鼎承知识产权代理有限公司 11551
代理人
李伟波;管莹
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[21]
原子层沉积装置 [P]. 
全蓥卓 ;
崔鹤永 .
中国专利 :CN103866287A ,2014-06-18
[22]
原子层沉积装置 [P]. 
李哲峰 ;
张光海 .
中国专利 :CN212335292U ,2021-01-12
[23]
原子层沉积装置 [P]. 
杨士逸 .
中国专利 :CN221398037U ,2024-07-23
[24]
原子层沉积装置 [P]. 
全蓥卓 ;
崔鹤永 .
中国专利 :CN103866292A ,2014-06-18
[25]
原子层沉积装置 [P]. 
申雄澈 ;
崔圭政 ;
杨澈勋 .
韩国专利 :CN120344713A ,2025-07-18
[26]
原子层沉积装置 [P]. 
吉田武史 ;
石塚勇史 .
中国专利 :CN203159709U ,2013-08-28
[27]
原子层沉积装置 [P]. 
陈蓉 ;
邵华晨 ;
刘潇 ;
向俊任 ;
李嘉伟 ;
弋戈 .
中国专利 :CN113564564A ,2021-10-29
[28]
原子层沉积装置 [P]. 
申寅澈 ;
金京俊 .
中国专利 :CN101768731B ,2010-07-07
[29]
原子层沉积装置 [P]. 
姜秉周 ;
郭鲁元 ;
金炫祐 ;
崔光贤 ;
徐正昊 .
韩国专利 :CN119895077A ,2025-04-25
[30]
原子层沉积装置 [P]. 
杨士逸 .
中国专利 :CN221398036U ,2024-07-23