原子层沉积装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910265830.6
申请日
2009-12-28
公开(公告)号
CN101768731B
公开(公告)日
2010-07-07
发明(设计)人
申寅澈 金京俊
申请人
申请人地址
韩国京畿道安城市
IPC主分类号
C23C1644
IPC分类号
C23C1654
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
韩明星;罗延红
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[2]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[3]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31
[4]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31
[5]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15
[6]
原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P]. 
曹生贤 .
中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12
[7]
原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P]. 
佐藤英儿 ;
坂本仁志 .
日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13
[8]
原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P]. 
龟田直人 ;
三浦敏德 ;
花仓满 .
中国专利 :CN114286875A ,2022-04-05
[9]
原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P]. 
长井博之 ;
桑山哲朗 .
中国专利 :CN104141117B ,2014-11-12
[10]
原子层沉积装置 [P]. 
夏洋 .
中国专利 :CN108715999A ,2018-10-30