半导体器件、半导体器件的制造方法及其测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810109378.X

申请日：

2008-06-02

公开(公告)号：

CN101504923B

公开(公告)日：

2009-08-12

发明(设计)人：

滨田宽哉田中太助清藤彰中岛善朗

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2166 G11C2900 G01R3128

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	授权	授权
2010-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101002878825 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:200810109378X 申请日:20080602
2010-11-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101036789356 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:200810109378X 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100916
2009-08-12	公开	公开
2017-12-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/60 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[2]

半导体器件的制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05

[3]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

涂国基 ;

杨仁盛 ;

石昇弘 ;

翁烔城 ;

朱文定 .

中国专利 :CN108183107B ,2018-06-19

[5]

半导体器件及其制造方法和半导体器件的测试方法 [P].

松原义德 .

中国专利 :CN1538500A ,2004-10-20

[6]

半导体器件的制造方法及其半导体器件 [P].

何丹丹 .

中国专利 :CN113130636B ,2021-07-16

[7]

制造半导体器件的方法及其半导体器件 [P].

威廉·C·匹特曼 ;

埃里克·S·约翰逊 ;

阿道尔夫·C·瑞业斯 .

中国专利 :CN1436367A ,2003-08-13

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[10]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN107887392A ,2018-04-06

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