高热导率氮化铝陶瓷的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95117462.2

申请日：

1995-11-17

公开(公告)号：

CN1130607A

公开(公告)日：

1996-09-11

发明(设计)人：

周和平吴音缪卫国刘耀诚任福民

申请人：

申请人地址：

100084北京市海淀区清华园

IPC主分类号：

C04B35582

IPC分类号：

代理机构：

清华大学专利事务所

代理人：

罗文群

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-08-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-09-11	公开	公开
2000-11-29	专利申请的驳回	专利申请的驳回

共 50 条

[1]

高热导率氮化铝陶瓷 [P].

周和平 ;

乔梁 ;

吴音 ;

刘耀诚 ;

缪卫国 .

中国专利 :CN1421418A ,2003-06-04

[2]

一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

贺智勇 ;

张启富 ;

王峰 ;

千粉玲 ;

刘秋元 .

中国专利 :CN107188567B ,2017-09-22

[3]

一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

黄向东 ;

刘海华 .

中国专利 :CN107759225B ,2018-03-06

[4]

一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN118908735A ,2024-11-08

[5]

一种高热导率氮化铝陶瓷及其制备方法 [P].

杨大胜 ;

施纯锡 ;

冯家伟 .

中国专利 :CN112939607B ,2021-06-11

[6]

一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷及其制备方法 [P].

吕文中 ;

丁利文 ;

范桂芬 ;

姜海 ;

史玉升 ;

李晨辉 .

中国专利 :CN106542828A ,2017-03-29

[7]

高热导率氮化铝烧结体 [P].

小松通泰 ;

宫下公哉 .

中国专利 :CN100519480C ,2006-12-20

[8]

水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法 [P].

雒晓军 ;

张宝林 ;

李文兰 ;

庄汉锐 .

中国专利 :CN1274638C ,2004-12-29

[9]

一种高热导率氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法 [P].

戴毅 ;

李君 ;

石锗元 ;

肖伟 .

中国专利 :CN118181449A ,2024-06-14

[10]

高热导氮化铝陶瓷结构件的制备方法 [P].

徐学磊 ;

李大海 ;

孙红杰 .

中国专利 :CN108689716A ,2018-10-23

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