一种高热导率氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410137031.5

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN118181449A

公开(公告)日：

2024-06-14

发明(设计)人：

戴毅李君石锗元肖伟

申请人：

君原电子科技（海宁）有限公司

申请人地址：

314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区谷水路306号天通泛半导体产业园2幢

IPC主分类号：

B28B1/00

IPC分类号：

C04B35/581 C04B35/622 B28B11/12 B28B17/00 B28B11/24 B24B27/06 B24B1/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

河北省衡水市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):B28B 1/00登记生效日:20241108变更事项:申请人变更前权利人:君原电子科技（海宁）有限公司变更后权利人:君原电子科技（海宁）有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区谷水路306号天通泛半导体产业园2幢变更后权利人:314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区谷水路306号天通泛半导体产业园2幢变更事项:申请人变更后权利人:北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司变更事项:国家或地区变更后权利人:中国
2024-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B28B 1/00申请日:20240131
2024-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

高热导率氮化铝陶瓷 [P].

周和平 ;

乔梁 ;

吴音 ;

刘耀诚 ;

缪卫国 .

中国专利 :CN1421418A ,2003-06-04

[2]

一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

贺智勇 ;

张启富 ;

王峰 ;

千粉玲 ;

刘秋元 .

中国专利 :CN107188567B ,2017-09-22

[3]

一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

黄向东 ;

刘海华 .

中国专利 :CN107759225B ,2018-03-06

[4]

一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN118908735A ,2024-11-08

[5]

高热导率氮化铝陶瓷的制造方法 [P].

周和平 ;

吴音 ;

缪卫国 ;

刘耀诚 ;

任福民 .

中国专利 :CN1130607A ,1996-09-11

[6]

一种高热导率氮化铝陶瓷及其制备方法 [P].

杨大胜 ;

施纯锡 ;

冯家伟 .

中国专利 :CN112939607B ,2021-06-11

[7]

一种氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法 [P].

李君 ;

曹珍 ;

石锗元 ;

肖伟 ;

奚宏晖 ;

黄青林 .

中国专利 :CN119260900A ,2025-01-07

[8]

一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷及其制备方法 [P].

吕文中 ;

丁利文 ;

范桂芬 ;

姜海 ;

史玉升 ;

李晨辉 .

中国专利 :CN106542828A ,2017-03-29

[9]

一种氮化铝陶瓷静电卡盘及其制备方法 [P].

陈庶舒 ;

李君 ;

石锗元 ;

肖伟 .

中国专利 :CN118290172A ,2024-07-05

[10]

一种高热导率工业级氮化铝陶瓷基板的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施俊男 ;

杨大胜 ;

向其军 ;

梅心涛 .

中国专利 :CN120097733A ,2025-06-06

← 1 2 3 4 5 →