一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710438497.9
申请日
2017-06-12
公开(公告)号
CN107188567B
公开(公告)日
2017-09-22
发明(设计)人
贺智勇 张启富 王峰 千粉玲 刘秋元
申请人
申请人地址
100081 北京市海淀区学院南路76号
IPC主分类号
C04B35581
IPC分类号
C04B3564
代理机构
北京华谊知识产权代理有限公司 11207
代理人
刘月娥
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高热导率氮化铝陶瓷的制造方法 [P]. 
周和平 ;
吴音 ;
缪卫国 ;
刘耀诚 ;
任福民 .
中国专利 :CN1130607A ,1996-09-11
[2]
一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P]. 
冯家伟 ;
施纯锡 .
中国专利 :CN118908735A ,2024-11-08
[3]
一种高热导率工业级氮化铝陶瓷基板的制备方法 [P]. 
冯家伟 ;
施俊男 ;
杨大胜 ;
向其军 ;
梅心涛 .
中国专利 :CN120097733A ,2025-06-06
[4]
高热导率氮化铝陶瓷 [P]. 
周和平 ;
乔梁 ;
吴音 ;
刘耀诚 ;
缪卫国 .
中国专利 :CN1421418A ,2003-06-04
[5]
一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法 [P]. 
黄向东 ;
刘海华 .
中国专利 :CN107759225B ,2018-03-06
[6]
一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷及其制备方法 [P]. 
吕文中 ;
丁利文 ;
范桂芬 ;
姜海 ;
史玉升 ;
李晨辉 .
中国专利 :CN106542828A ,2017-03-29
[7]
一种高热导率氮化铝陶瓷及其制备方法 [P]. 
杨大胜 ;
施纯锡 ;
冯家伟 .
中国专利 :CN112939607B ,2021-06-11
[8]
一种高热导率氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法 [P]. 
戴毅 ;
李君 ;
石锗元 ;
肖伟 .
中国专利 :CN118181449A ,2024-06-14
[9]
水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法 [P]. 
雒晓军 ;
张宝林 ;
李文兰 ;
庄汉锐 .
中国专利 :CN1274638C ,2004-12-29
[10]
一种高热导氮化铝陶瓷基板的制备方法 [P]. 
冯家伟 ;
施俊男 ;
杨大胜 ;
梅心涛 .
中国专利 :CN119930300A ,2025-05-06