半导体装置及其制造方法和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99815785.6

申请日：

1999-09-14

公开(公告)号：

CN1333921A

公开(公告)日：

2002-01-30

发明(设计)人：

佐佐木雅子铃木一成市原诚一下石智明中村寿雄西邦彦田中英树中嶋宽

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-23	授权	授权
2002-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101140909876 IPC(主分类):H01L 23/31 专利号:ZL998157856 申请日:19990914 授权公告日:20050223 终止日期:20100914
2002-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法和电子装置 [P].

金本光一 ;

增田正亲 ;

和田环 ;

杉山道昭 ;

木村美香子 .

中国专利 :CN1329755A ,2002-01-02

[2]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

酒井清久 .

中国专利 :CN109075157B ,2018-12-21

[3]

半导体装置及其制造方法和电子装置 [P].

北角英人 .

中国专利 :CN101490850B ,2009-07-22

[4]

半导体装置用基板、半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置 [P].

中道忠弘 .

中国专利 :CN1101598C ,1999-06-23

[5]

半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置 [P].

桥元伸晃 .

中国专利 :CN1262784A ,2000-08-09

[6]

半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置 [P].

赤松俊也 .

中国专利 :CN102623440A ,2012-08-01

[7]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

藤井宣年 ;

青柳健一 .

中国专利 :CN109360833A ,2019-02-19

[8]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

藤井宣年 ;

青柳健一 .

中国专利 :CN104620385A ,2015-05-13

[9]

半导体装置及其制造方法、电子装置 [P].

佐佐木直人 ;

田野启介 ;

田中启史 ;

前原正孝 ;

古桥隆寿 .

日本专利 :CN119732205A ,2025-03-28

[10]

半导体装置制造方法和电子装置制造方法 [P].

石月义克 ;

佐佐木伸也 ;

谷元昭 .

中国专利 :CN103258752B ,2013-08-21

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